根據 TrendForce 最新報告指出，2027 年記憶體市況將呈現顯著分化，DRAM 供給將持續吃緊，而 NAND Flash 則趨向寬鬆。這一趨勢主要受到 AI 應用的快速發展影響，尤其是 HBM 技術的推廣和伺服器需求的增加。
DRAM 供給緊張：AI 應用推動需求
數據顯示，2027 年 DRAM 需求將繼續由 AI 應用主導。HBM 技術的持續排擠產能和 AI 伺服器需求的強勁增長，使得 CPU 記憶體與 HBM 的採購動能持續增加。這將維持 DRAM 供給的緊張格局，價格走勢偏強。
TrendForce 表示，為因應 AI 基礎建設擴張的中長期需求，各大 DRAM 原廠已提早啟動產能擴充計畫。短期內，供應商積極提高既有廠區產能，同時加速製程升級、降低產品轉換頻率，以支撐 2026 年整體位元供給擴張。
「2027 年儘管有數家供應商規劃新產能陸續投產，但受限於廠時程、設備移機、原物料等前置作業約束，多數新廠投片放量落於 2027 下半年，考量生產週期，大幅產出貢獻則於 2028 年發酵。」 —— TrendForce
此外，HBM 製造所需晶圓投入遠高於一般型 DRAM，導致新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出。這些因素將限制 2027 年整體 DRAM 位元供給成長幅度，市場供應能力持續緊縮。
NAND Flash 供給寬鬆：新產能釋放與消費需求疲軟
數據顯示，2027 年 NAND Flash 新產能將集中釋放，終端消費需求持續走弱，下半年供給將趨寬鬆，價格恐面臨修正壓力。2026 年 NAND Flash 原廠主要通過製程升級增加位元供給，AI 伺服器和高容量企業級 SSD 需求旺盛，供應商持續提高供給比重，以避免消費端需求平淡可能造成的獲利風險。
2027 年各大廠加速轉進至高層數產品與新廠產能逐步釋放，位元供給成長幅度將超越 2026 年，市場產出規模明顯擴張。需求面，伺服器部署需求穩健，CSP 與企業客戶對高速大容量企業級 SSD 的採購力道強勁，以 QLC SSD 最甚，將成為支撐 2027 年 NAND Flash 位元需求增長的主力。
「消費性電子則因終端售價陸續上調，預估買氣仍受壓抑。2027 年在產能陸續開出、消費性電子需求仍偏弱，市場供需將迎來結構性反轉。」 —— TrendForce
2027 年在產能陸續開出、消費性電子需求仍偏弱，市場供需將迎來結構性反轉，TrendForce 已先提出 2027 年 sufficiency ratio 將轉為正值的看法，供需格局將轉為寬鬆。
數據背後的啟示
2027 年記憶體市場的分化趨勢反映出技術進步和應用需求的不平衡。DRAM 供給緊張和 NAND Flash 供給寬鬆的現象，將對相關產業帶來不同的影響。DRAM 供應商需要提前佈局，確保產能擴充的順利進行；而 NAND Flash 供應商則需關注消費需求的變化，調整產能策略。
從產業面來看，DRAM 供給緊張將促使價格維持高位，有利於供應商的獲利；而 NAND Flash 供給寬鬆則可能導致價格下滑，需警惕市場競爭加劇的風險。建議企業根據自身定位和市場需求，靈活調整戰略。
面對 2027 年的市場變化，企業需要密切關注技術趨勢和市場動態，並及時調整戰略，以應對未來的挑戰和機遇。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
2027 年 DRAM 供給為何會持續吃緊？
2027 年 DRAM 供給持續吃緊的主要原因是 AI 應用的快速發展，特別是 HBM 技術的推廣和伺服器需求的增加。HBM 製造所需晶圓投入遠高於一般型 DRAM，導致新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出，限制了 DRAM 位元供給成長幅度。
2027 年 NAND Flash 供給寬鬆的原因是什麼？
2027 年 NAND Flash 供給寬鬆的主要原因是新產能的集中釋放和消費需求的疲軟。各大廠商加速轉進至高層數產品和新廠產能逐步釋放，位元供給成長幅度將超越 2026 年，但終端消費需求持續走弱，導致市場供需結構反轉。
DRAM 和 NAND Flash 的市場分化對企業有何影響？
DRAM 供給緊張將促使價格維持高位，有利於供應商的獲利；而 NAND Flash 供給寬鬆則可能導致價格下滑，需警惕市場競爭加劇的風險。企業需要根據自身定位和市場需求，靈活調整戰略。
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