在國際半導體技術封鎖的背景下，中國的設備自製化邁出了重要的一步。根據外媒 The Information 報導，一家未具名的中國國家支持企業已經成功製造出深紫外光微影設備（DUV），並計劃於2026年生產5台DUV設備，2027年產能提升至20台。其中，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）已於8月份正式進入中國半導體業者的優先採購名單，將獲得首批國產的 DUV 設備。
事實陳述
該中國企業製造的28奈米DUV，儘管部分關鍵零組件仍需仰賴日本進口，但絕大多數零件已成功實現國產化。長鑫存儲計劃利用新資金進行激進的產能擴張，目標在2026年年底前，將現有每月約20萬片晶圓的產能，大幅拉升至每月30萬片。此外，公司正在上海與合肥兩地建設兩座全新的晶圓廠，未來總產能將倍增至每月60萬片晶圓。
各方反應
長鑫存儲的IPO引發投資人的空前狂熱，交易首日股價漲幅高達近500%。此舉凸顯了北京當局對半導體核心實體的高度重視，同時也有效反制了美國意圖阻止中國企業購買或維修西方DUV設備的 MATCH 法案。另一方面，全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）於7月28日在美股市場遭遇沉重賣壓，盤中股價跌幅一度深達8.2%。
背景補充
長鑫存儲已在G5製程節點上成功量產1a DRAM，並選擇改變技術路徑，放棄單純追求縮小水平節點的傳統做法，將研發重押於下一代的 3D DRAM 技術。透過將記憶體單元進行垂直堆疊，公司能在不微縮水平節點的情況下，最大化原始位元密度與整體儲存容量。在具體技術實作上，長鑫存儲利用氟化氬（ArF）浸潤式DUV系統蝕刻多個水平特徵層，並透過混合鍵合技術將其垂直堆疊。
市場分析師指出，投資人對於中國國產DUV量產的消息反應過度。數據顯示，DUV占ASML總營收的比例已從2024年的44%下降至上一季的29%；對中國市場的銷售佔比更從2024年的41%驟降至上一季的僅14%，且此下滑趨勢預期將持續。ASML目前每年具備生產130台DUV設備的龐大產能，並計劃在2027年將產能提升30%，2028年再增加30%。
從產業面來看，中國國產DUV的量產雖然標誌著半導體自製化的進步，但在產能和技術上仍難以對ASML構成實質威脅。長鑫存儲的崛起更多是中國半導體產業的一次戰略布局，而非全球市場的格局變動。然而，這一步驟確實為中國本土半導體產業鏈提供了堅實的後盾，未來的競爭態勢值得關注。
此消息的發布，不僅反映了中國半導體產業的快速進步，也凸顯了全球半導體供應鏈的複雜性和競爭態勢。長鑫存儲的技術突破和產能擴張，將如何影響全球半導體市場，仍有待觀察。
讀者們，面對中國半導體產業的快速發展，您認為這將對全球半導體市場帶來哪些影響？歡迎留言分享您的看法。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
長鑫存儲獲得的 DUV 設備有何特殊之處？
長鑫存儲獲得的 DUV 設備主要特點是國產化程度高，大部分零件已實現國產化，且能生產28奈米的晶片。
長鑫存儲的產能擴張計劃有哪些具體目標？
長鑫存儲計劃在2026年底前將現有每月約20萬片晶圓的產能提升至每月30萬片，並在上海與合肥建設兩座新的晶圓廠，未來總產能將達到每月60萬片。
中國國產 DUV 設備的量產對 ASML 有何影響？
中國國產 DUV 設備的量產導致 ASML 股價下跌，但從長期看，ASML 對中國市場的依賴度下降，且產能擴張計劃仍在進行，因此對 ASML 的影響有限。
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