關鍵數字：根據摩根士丹利的最新報告，第三季 DDR4 記憶體價格預期每月漲幅將超過 20%，整季價格季增率「至少達到 30%」。
📊 數據總覽
摩根士丹利（Morgan Stanley）最新發表的大中華區半導體產業報告指出，儘管市場對記憶體週期、雲端服務供應商自由現金流以及中國市場記憶體拋售潮有所擔憂，但記憶體價格在第三季仍展現出強勁的上揚趨勢。報告強調，DDR4 與傳統快閃記憶體在第三季的價格漲勢不僅未歇，反而展現出前所未有的定價能力。
數據解讀 1：DDR4 記憶體價格狂飆
根據 TrendForce 的預估，常規 DRAM 混合價格季增率約落在 13-18%，NAND 價格則預估季增 10-15%。 然而，摩根士丹利的報告指出，雲端服務供應商（CSP）展現出為 DDR4 支付更高價格的意願，甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約（LTA）。受此帶動，摩根士丹利預估 DDR4 價格在第三季有望達成每月 20% 以上的漲幅，這意味著第三季整季的價格季增率將「至少達到 30%」。
數據解讀 2：NAND 與 NOR Flash 表現亮眼
除了 DRAM，傳統 NAND 與 NOR Flash 的表現同樣亮眼。 摩根士丹利預期，第三季 SLC/MLC NAND 的價格將大幅季增 50-60%，而 NOR Flash 的價格也將迎接 30-40% 的季增長。報告強調，目前在 DDR4、SLC/MLC NAND 以及 NOR Flash 領域，依然存在著結構性的供應缺口，這些缺口將持續支撐記憶體價格強勁上揚。
趨勢預測：結構性缺口支撐價格上揚
近期中國記憶體大廠兆易創新（GigaDevice）曾發布公告警告，利基型記憶體產品未來可能面臨大幅價格下滑。對此，摩根士丹利分析師解讀，這較可能屬於「長期趨勢」的預警，而非短期內會發生的現象。報告強調，目前在 DDR4、SLC/MLC NAND 以及 NOR Flash 領域，依然存在著結構性的供應缺口，這些缺口將持續支撐記憶體價格強勁上揚。
從產業面來看，結構性供應缺口不僅是短期市場波動的原因，更是長期價格穩定的關鍵。摩根士丹利的報告進一步指出，相關公司的 2028 年預估每股淨值（BVPS）已提供良好的下檔支撐，這表明即使面對市場短期雜音，成熟記憶體的基本面與價格走勢依然強勁。
數據告訴我們什麼？
摩根士丹利的報告顯示，第三季記憶體價格的強勁上揚主要由结构性供應缺口推動。雲端服務供應商的高需求和長期合約簽訂，進一步鞏固了記憶體價格的上漲趨勢。對於投資者而言，相關公司的估值已提供良好的下檔支撐，這意味著成熟記憶體股的投資價值仍然值得關注。
如果你是記憶體產業的投資者或關注者，不妨仔細研究摩根士丹利的報告，了解這些數據背後的趨勢和機會。同時，建議諮詢專業財經分析師，以便做出更明智的投資決策。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
第三季 DDR4 記憶體價格預期漲幅是多少？
第三季 DDR4 記憶體價格預期每月漲幅將超過 20%，整季價格季增率至少達到 30%。
什麼因素推動了 DDR4 記憶體價格的上漲？
雲端服務供應商（CSP）展現出為 DDR4 支付更高價格的意願，甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約（LTA），這是推動 DDR4 記憶體價格上漲的主要因素。
SLC/MLC NAND 和 NOR Flash 的價格預期漲幅是多少？
SLC/MLC NAND 的價格預期季增 50-60%，而 NOR Flash 的價格預期季增 30-40%。
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