在 AI 資料中心的高速發展下，電力基礎設施的需求日益增加。近期市場傳出台達電與功率半導體大廠英飛凌深化合作，雙方的合作範圍有望擴展至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，引發市場高度關注。這項合作將如何影響 AI 資料中心的未來？
現象觀察：AI 資料中心電力需求攀升
隨著 AI 應用的普及，資料中心的電力需求不斷上升，特別是在高性能計算和大數據處理方面。為了應對這一挑戰，800 V 高壓直流（HVDC）供電架構逐漸成為行業標準。這種高壓供電方式不僅提高了效率，還減少了能量損耗，使得資料中心的運行更加穩定。
固態變壓器（SST）也被視為下一代供電架構的關鍵技術，預計將於 2027 年迎來市場爆發。SST 的優勢在於其高效率和可靠性，可以有效支持 MW 等級的 AI 資料中心。
原因剖析：碳化矽的獨特優勢
相較於傳統的矽（Si）功率元件，碳化矽（SiC）具有耐高壓、高效率及低損耗等特性。這些優點使其成為 800 V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一。碳化矽的應用可以顯著提高中高壓電力轉換效率，降低能源損耗，從而支持 AI 資料中心的高效運行。
英飛凌是全球主要功率半導體供應商之一，其產品線涵蓋了矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等多種功率元件。這些產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。隨著 AI 電力需求的快速增長，英飛凌也在積極開發高效率電源管理和高功率密度解決方案。
影響評估：雙方合作的潛在效益
台達電和英飛凌的合作，將為 AI 資料中心的電力基礎設施帶來顯著的技術提升。去年，雙方共同開發了 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，結合了英飛凌的 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的能力。這一合作成果已經展示了其在高效率、高功率密度電源解決方案方面的潛力。
台達電總裁張訓海在今年的 GTC 2026 大會上表示，公司早已投入 SST 研發，並積極推動 800 V 電源架構。預計 SST 技術最遲將於 2027 年迎來市場爆發。若雙方的合作進一步深化至 SiC 領域，將有助於台達電在 SST 和下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件上取得突破。
趨勢預測：碳化矽的未來前景
從產業面來看，碳化矽在 AI 資料中心的應用前景非常樂觀。隨著技術的成熟和成本的下降，SiC 將成為主流的功率元件，推動電力基礎設施的全面升級。台達電與英飛凌的合作，將加速這一過程，並為市場帶來更多的創新解決方案。
未來，隨著 AI 資料中心的規模不斷擴大，對高效率、高功率密度電源的需求將持續增長。碳化矽作為核心技術，將在其中發揮關鍵作用。台達電與英飛凌的合作，將為這一波技術浪潮提供強大的支撐。
如果你對 AI 資料中心的電力技術感興趣，不妨關注台達電與英飛凌的最新動態，了解這兩家公司在碳化矽領域的最新進展。這將對你的業務和投資決策提供寶貴的參考。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
碳化矽（SiC）有哪些優點？
碳化矽（SiC）具有耐高壓、高效率及低損耗等特性，可以顯著提高中高壓電力轉換效率，降低能源損耗。
台達電和英飛凌的合作範圍包括哪些？
台達電和英飛凌的合作範圍包括 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組的開發，未來可能擴展至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件。
SST 技術預計何時迎來市場爆發？
SST 技術預計最遲將於 2027 年迎來市場爆發。
※ 此篇文章由 AI 改寫或生成，內容僅供參考，可能存在錯誤或不準確之處。
About the Author
