記憶體市場在下半年依然受到 AI 需求的帶動，然而 DRAM 與 NAND Flash 的價格走勢卻呈現截然不同的態勢。根據業界普遍看法，DRAM 的供給缺口尚未得到改善，下半年的合約價仍有望實現雙位數的漲幅，特別是 DDR4 在第三季的漲幅預計超過三成。
DRAM 漲勢持續
市場原先預期第三季 DRAM 合約價的漲幅在 13% 至 18% 之間，但 DDR4 的供需情況比預期更加緊張。企業與工控市場依然大量使用 DDR4，且由於 DDR5 的價格仍然偏高，對中低階 PC 或成本敏感的應用而言，DDR4 仍然是更具性價比的選擇。此外，為了確保供貨穩定，CSP 業者願意接受更高的價格，甚至簽訂 1 至 2 年的長期供貨合同，這進一步推動了 DDR4 在第三季的價格上漲。
NAND 價格步入高原期
相較於 DRAM，NAND Flash 的價格漲幅已逐漸放緩。雖然 AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用持續推動需求增長，但 NAND Flash 的價格漲幅已進入高原期。業者預計第三季 NAND Flash 的漲幅約為一成多，第四季的漲幅可能會進一步放緩，價格可能逐漸步入整理階段。
背後的供需結構差異
業界指出，目前記憶體市場仍維持 DRAM 強於 Flash 的格局。主要原因是 HBM、DDR5 及 LPDDR5X 等高階產品持續排擠成熟 DRAM 的產能，導致 DDR4 的供給缺口短期內難以補足。相比之下，Flash 市場雖然受益於 AI 新增需求的支撐，但其供給彈性相對較高，因此價格走勢趨於平穩。
從產業面來看，DRAM 價格的堅挺主要歸因於高端產品對成熟產能的排擠，這使得 DDR4 的供給缺口難以在短期內得到緩解。然而，NAND Flash 價格的高原期則反映了市場供需的平衡狀態，未來的價格走勢將更多地取決於新技術的發展和供給端的調整。
對於投資者而言，了解記憶體市場的這些差異至關重要。DRAM 的漲勢可能持續到年底，而 NAND Flash 的價格則可能進入一段整理期。相關業者的表現也將受到這些市場因素的影響，包括南亞科、華邦電、旺宏、群聯，以及威剛、創見、宇瞻、十銓、宜鼎等。
如果您對記憶體市場的未來走勢有興趣，不妨深入研究各公司的財報和行業報告，以做出更明智的投資決策。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
DRAM 和 NAND Flash 的價格差異主要由哪些因素造成？
DRAM 和 NAND Flash 的價格差異主要由供需結構差異造成。DRAM 因高階產品如 HBM、DDR5 及 LPDDR5X 排擠成熟產能，導致供給缺口難以補足，價格堅挺。而 NAND Flash 市場受益於 AI 新增需求，但供給彈性較高，價格趨於平穩。
第三季 DDR4 的價格漲幅預計是多少？
第三季 DDR4 的價格漲幅預計超過三成，主要原因是企業與工控市場大量使用 DDR4，且 DDR5 價格仍偏高，DDR4 具有更高的性價比。
NAND Flash 價格進入高原期的原因是什麼？
NAND Flash 價格進入高原期的主要原因是 AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用持續推動需求，但供給彈性較高，導致價格漲幅放緩，可能逐漸步入整理階段。
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